55纳米芯片研发 中国打破美韩芯片核心技术垄断 进口额超石油 中国自主研发55纳米相变存储芯片,打破美韩垄断,提升存储技术自主化。相变存储技术具备高性能与高耐用性,未来30年将支撑电子存储器发展,助力芯片产业摆脱进口依赖。 中国相变存储技术突破 55纳米芯片研发 存储器芯片自主化 非易失性存储器 芯片进口额超石油 存储技术革新 1 首页 上一页 1 下一页 尾页