共发射极基本放大电路图 放大电路实现放大的条件，是发射结正偏，集电结，那么正偏电压要大于反偏还是小于呢？

放大电路实现放大的条件，是发射结正偏，集电结，那么正偏电压要大于反偏还是小于呢？  

放大电路实现放大的条件，是发射结正偏，集电结，那么正偏电压要大于反偏还是小于呢？

放大电路实现放大的条件，是发射结正偏，集电结反偏，也就是说对于NPN三极体，处于放大状态时其集电极电压最低电压不低于基极电压，该电压越高，输出动态范围越大。

如何判断放大电路发射结正偏反偏　

NPN矽三极体的发射结电压为＋0.7V左右为正偏，达不到为反偏。
PNP矽三极体的发射结电压为－0.7V左右为正偏，达不到为反偏。
NPN锗三极体的发射结电压为＋0.2V左右为正偏，达不到为反偏。
PNP锗三极体的发射结电压为－0.2V左右为正偏，达不到为反偏。

共射极放大电路实现放大的条件{集电极反偏,发射极正偏}对pnp和npn管都适用吗？

共射极放大电路实现放大的条件：集电极反偏，发射极正偏，对pnp和npn管都适用。
准确讲应该是：发射结正偏，集电结反偏，都对。因为先有发射结正偏，后有集电结反偏。集电结反偏意味着管子不饱和，不饱和才能放大。但是这样说太笼统。因为Rb究竟该多大的问题没有解决。随便加上一个很大的Rb，都能使发射结正偏，集电结反偏。
Rb究竟该多大的问题没有解决，靠作者老道的经验，效果较差，关键是学生糊涂。
根据科学计算
Rb=βRc时，虽然发射结还是正偏，但是集电结不反偏了，管子饱和了，所以不能放大工作。所以设计Rb的条件是Rb>βRc。大多少才行呢，根据科学计算
Rb(cr)=β(Rc+RcRL)
是最合适的。

发射结正偏 集电结反偏 三极体就处于放大状态吗？

aa你好：发射结正偏就是: 基极电压大于发射极电压集电结反偏是：三极体在正常工作状态时,加在集电极上的电压方向与其电流方向相反. 在放大电路中be结正偏，bc结反偏，三极体工作在放大区，在数位电路中bc结0偏或反偏，三极体交替工作在饱和区和截止区 希望能帮到你！

三极体的放大条件为什么要发射结正偏集电结反偏

拿npn来说吧，发射结正偏发射极电子才能大量涌入基区；基区会有少量（注意是少量）空穴与之符合；集电结反偏基区才能反向抽取涌入基区的电子。这时才会有放大出现。
具体的是各种载流子数目都依赖相同电压，但是掺杂浓度不同，这样就实现了由一个小电流产生一个电压然后控制产生一个大电流。

当集电结正偏，发射结正偏时后基极电压等于发射极电压？

集电结正偏，发射结正偏时，电晶体处于饱和
基极电压=发射极电压+Ube（矽管为0.7V）

发射结正偏,集电结反偏,三极体一定处在放大区吗? 为什么？

发射结正偏,集电结反偏,三极体不一定处在放大区，还有一种饱和导通状态
三极体的工作状态
（一）截止状态：当加在三极体发射结的电压小于PN接面的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极体这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极体处于截止状态。
（二）放大状态：当加在三极体发射结的电压大于PN接面的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极体的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起著控制作用，使三极体具有电流放大作用，其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb，这时三极体处放大状态。
（三）饱和导通状态：当加在三极体发射结的电压大于PN接面的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极体失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极体的这种状态我们称之为饱和导通状态。
根据三极体工作时各个电极的电位高低，就能判别三极体的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极体各脚的电压，从而判别三极体的工作情况和工作状态。

共基电路如何说明发射结正偏集电结反偏

aa不管是共发射极，还是共基极，三极体自身的工作状态是一样的，偏置和电流都相同。 不同的仅仅是需要放大的讯号从那里输出和从哪里输出的区别。 对NPN三极体来说，基极的电压高于发射极，就是发射结正偏；基极的电压低于集电极，就是集电结反偏。PNP管电压正好相反，基极的电压低于发射极，就是发射结正偏；基极的电压高于集电极，就是集电结反偏。

一般情况下三极体工作在放大状态，无论pnp还是npn都是发射结和集电结都是发射结正向偏 集电结反向偏吗？

额，发射结正偏时电压要超过门槛电压，矽管0.5V，锗管0.2V，集电结要反偏
写方程重点是看触发器的输入时什么，注意触发器是什么触发型别的

三极体工作放大区的时，特征是发射结 ，集电结 。（“正偏”或者“反偏”）

饱和时减小基极电压或者增加集电极电压 截止时增加基极电压 我说的是NPN型的