半导体产业突破 晋华休克 合肥长鑫10nm存储芯片量产 合肥长鑫成功量产10nm级8Gb DDR4存储芯片，打破国外技术垄断。该芯片与三星、SK海力士同级别，标志着中国在DRAM领域实现技术突破，推动存储芯片国产化进程。 存储芯片国产化 合肥长鑫存储芯片 10nm DRAM量产 打破国外垄断 DRAM技术突破 半导体产业突破 1 首页 上一页 1 下一页 尾页
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