爱学记
存储芯片国产化
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固态硬盘实现主控和存储芯片全国产
国科微与长江存储合作，实现固态硬盘主控和存储芯片全面国产化，打破国外垄断。长江存储128层NAND技术突破，国科微主控芯片采用龙芯，推动SSD自主技术发展。
固态硬盘国产化 主控芯片国产化 存储芯片国产化 国科微长江存储 SSD自主技术 国产SSD主控 -
晋华休克 合肥长鑫10nm存储芯片量产
合肥长鑫成功量产10nm级8Gb DDR4存储芯片，打破国外技术垄断。该芯片与三星、SK海力士同级别，标志着中国在DRAM领域实现技术突破，推动存储芯片国产化进程。
存储芯片国产化 合肥长鑫存储芯片 10nm DRAM量产 打破国外垄断 DRAM技术突破 半导体产业突破 -
中国存储芯片取得突破 追赶之路任重道远
合肥长鑫计划年内量产国产DRAM芯片，打破三星、SK海力士垄断，但技术、产能及美国设备依赖仍是挑战，追赶之路任重道远。
存储芯片国产化 中国存储芯片突破 DRAM国产化进展 合肥长鑫量产计划 DRAM技术发展 存储芯片技术突破
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