存储芯片技术突破 中国存储芯片取得突破 追赶之路任重道远 合肥长鑫计划年内量产国产DRAM芯片,打破三星、SK海力士垄断,但技术、产能及美国设备依赖仍是挑战,追赶之路任重道远。 存储芯片国产化 中国存储芯片突破 DRAM国产化进展 合肥长鑫量产计划 DRAM技术发展 存储芯片技术突破 1 首页 上一页 1 下一页 尾页