中国存储芯片取得突破 追赶之路任重道远

　　日前，日本媒体称，合肥长鑫或于年内开始量产国产动态随机存取存储器(DRAM)，且合肥长鑫已经重新设计了其DRAM芯片，以尽量减少对美国原产技术的使用。

　　这与去年国内公布的消息是一致的——长鑫计划在合肥投资80亿美元建造了一家晶圆厂，在2018年年底推出8Gb DDR4工程样品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，产能将达到2万片一个月。2020年开始规划二厂建设;2021年完成17纳米技术研发。

　　如果合肥长鑫能够量产8Gb DDR4和8Gb LPDDR4，那么，将有望打破国外三星、SK海力士等公司的垄断。这对于现在这种特殊环境，算得上是一件大好事。

　　虽然此前有合肥长鑫与日本尔必达前社长技术合作的传闻，但之后就没下文了。从现在的情况看，合肥长鑫的技术来源上紫光国芯。紫光国芯的前身是英飞凌在中国西安设立的研发中心，之后独立出来变成奇梦达，然后再被浪潮收购改名西安华芯，之后又被紫光收购并改名紫光国芯。另外，网络上还有合肥长鑫从境外大厂大量挖人的传言，甚至还有境外某公司一个数十人团队集体跳槽到合肥长鑫的传言。如果合肥长鑫能够整合从境内外的吸收过来的人才和技术，并假以时日，形成自己研发能力是可以期待的。

　　如果说紫光的长江存储上中国NAND突破的希望，那么，合肥长鑫就有可能成为中国DRAM突破的希望。

　　不过，在看到成绩的同时，也应当看到差距。

　　首先上技术上的差距，毕竟英飞凌也只是与三星等国际大厂竞争中的失败者，虽然借助奇梦达的肩膀，我们可以获得一个更好的起点，但就现阶段的技术水平而言，和三星上明显有差距的。

　　其次上市超规模上，目前，全球DRAM 硅晶圆的月产量为130万片，而合肥长鑫即便能按照规划在年底量产，月产能也不过2万片，相对较小的产能可能会使其在价格上对于下游客户来说不太友好。

　　最后是当下大环境带来的风险。目前，合肥长鑫的生产线对美国设备有一定依赖。根据日经新闻报道，合肥长鑫生产中依然会使用到Applied Materials、Lam Research及KLA-Tencor的设备和Cadence和Synopsys的EDA工具。对欧洲厂商的设备也有一定依赖性，长鑫存储董事长兼CEO朱一明2018年10月曾前往欧洲与ASML商谈合作。一旦川普政府对合肥长鑫采取类似晋华的制裁，合肥长鑫会陷入非常尴尬的境地。

　　总之，现有的成绩上喜人的，但道路上曲折的，追赶之路任重道远。